美光今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术的SSD产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光G9 NAND技术具备高达3.6GB/s的数据传输速率，提供卓越的数据读写带宽。该项NAND新技术为人工智能（AI）及其他数据密集型应用场景带来出色的性能，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。
美光G9 NAND技术凭借卓越的NAND输入/输出（I/O）速率，可满足数据密集型工作负载的高吞吐需求，其数据传输速率比当前SSD中的NAND技术要快50%。同时，与市场上现有的同类NAND解决方案相比，美光G9 NAND的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出99%和88%。这些优势共同提升了SSD和嵌入式NAND解决方案的性能与能效。与前一代NAND产品相同，美光G9 NAND采用11.5mmx13.5mm的紧凑封装，比同类产品节省28%的空间，是卓越的小尺寸、高密度NAND。在更小的尺寸内实现更高的密度，从而最大限度地增加了各种用例的设计选择。
作为首款搭载美光G9 NAND的SSD，美光2650 NVMe SSD提供业界领先的可靠性，其动态SLC高速缓存功能可显著提升性能，加快写入速率。美光2650 NVMe SSD连续读取速率高达7000MB/s。与同类竞品相比，美光2650 NVMe SSD表现出色，连续读取性能提升高达70%，连续写入性能提升高达103%，随机读取性能提升高达156%，随机写入性能提升高达85%。
