Panther Lake的先进性首先从晶体管开始，18A制程使用的RibbonFET是英特尔十多年来推出的首个全新晶体管架构，也是继FinFET（鳍式场效应晶体管）之后的新一代晶体管结构，能够实现更大规模与更高效的开关控制，从而显著提升性能并改善能效。
RibbonFET晶体管采用新的全环绕栅极（GAA）结构（台积电和三星的2纳米节点也使用了GAA），缩小了芯片组件，另外栅极布置方式由垂直改为水平堆叠的四层纳米片，实现卓越的全包围栅极控制，降低了短沟道效应（电流泄漏），提升晶体管开关效率，同时拥有更灵活的设计和扩展性。
而与RibbonFET晶体管一起构成18A关键创新的另一要素是PowerVia背面供电，这也是Power Via背面供电首次进入大规模量产。
与以往的供电布置形式相比，背面供电系统的供电和信号分别位于晶体管的两端，相比之前电力、信号一体的设计，不仅提高了供电效率，更是大幅减少了从封装到晶体管的压降（IP Drop），多达30%，同时拥有高达90%的单元密度利用率，优化了电力传输与信号传递。
RibbonFET和Power Via这两项堪称革命性的技术加在一起，让18A制程相比Intel 3制程的每瓦性能提升高达15%，芯片密度提升约 30%，也就是说相同频率功耗更低，相同功耗下频率更高。
此外，Panther Lake使用了英特尔的先进封装与3D芯片堆叠技术Foveros-S，可将多个芯粒（chiplet）堆叠并集成到先进的SoC设计中，在系统层面提供灵活性、可扩展性与性能优势。
