2025年首尔韩国科技节期间，三星旗下传输速率达40Gbps的GDDR7显存斩获总统表彰奖章。这款显存芯片采用三星12纳米DRAM工艺节点打造，不仅能实现40 Gbps的高速传输，还具备3GB（24Gb）的单颗容量。
值得一提的是，与之前36 Gbps速率的GDDR7样品配置一样采用单颗24Gb的规格，专为下一代显卡量身打造。同时三星也在量产28Gbps速率的3GB显存模组，该产品大概率将用于英伟达即将推出的显卡中期SUPER系列升级版。
这一系列高速率、3GB规格的显存模组一旦量产落地，将为市场补充了更高速的显存选择。过三星已启动40Gbps速率3GB容量GDDR7显存模组的测试工作，这类高性能产品的最终应用场景值得关注。
在此之前，海力士也有消息透露称正在筹备24Gb容量、速率高达48Gbps的GDDR7芯片。该模组采用对称双通道设计与升级后的内部接口，性能远超业界水平，其单引脚速率相较当前28 Gbps的产品提升超70%，单芯片带宽也从112GB/s 跃升至192GB/s。
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