Samsung内存nbsp;具体含义解释：nbsp;例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0nbsp;主要含义：nbsp;第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。nbsp;第2位——芯片类型4，代表DRAM。nbsp;第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。nbsp;第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容nbsp;量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。nbsp;第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。nbsp;第11位——连线“-”。nbsp;第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。nbsp;知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838Bnbsp;-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存nbsp;条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。nbsp;注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECCnbsp;内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数nbsp;据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判nbsp;定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。nbsp;nbsp;Hynix(Hyundai)现代nbsp;nbsp;·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2nbsp;bank；2=4nbsp;bank；3=8nbsp;bank)·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=Mamp;T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)现代内存的含义：nbsp;HY5DV641622AT-36nbsp;HYXXXXXXXXXXXXXXXXnbsp;123456789101112nbsp;1、HY代表是现代的产品nbsp;2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；nbsp;3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8Vnbsp;amp;nbsp;VDDQ=1.8V)4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64Mnbsp;4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64Mnbsp;2K刷新；28：128Mnbsp;4K刷
