DDR3内存采用100nm以下的生产工艺，并将工作电压从1.8V降至1.5V，可以减少30%的功耗，I/O缓冲的电压也更低，驱动阻抗也降低了。在工作频率方面，DDR3内存最低将会从800MHz起跳，目前最高能够达到1600Mhz的速度。由于目前最快的DDR2内存已经达到800Mhz/1066Mhz的速度，因而在去年的Computex大展上有多个内存厂商展出了1333Mhz的DDR3内存模组。在性能方面，DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt)。对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比较出色。此外，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。DDR3还增加了一些新特性，增加了异步重置（Reset）与ZQ校准功能，用ZQ阻值来校准数据。
相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，也就是内部同时并发8位数据。在相同Cell频率下，DDR3的数据传输率是DDR2的两倍。这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时，相信有实力的内存厂商将推出DDR3-2000甚至2400的频率更高的内存。
虽然内存发展出DDR2、DDR3等很多的类型，但是它们都是基于原始的DRAM单元，基本的DRAM架构仍然是现代内存类型的基础。虽然有很多尝试希望丢弃这种陈旧的以晶体管为基础的存储方式，出现了一些新的存储技术，如MRAM（MAGnetoreSIStive RAM）、FRAM (Ferroelectric RAM)等，但是它们都没有获得足够的成功。实际上，DRAM是一个晶体管和一个电容的结合体，很简单也很高效。所有的现代内存类型都继承了DRAM的优点和缺点：它需要刷新，以及有操作频率的上限（这也是用电容充电来存储数据的弊病）。可以说DRAM的频率发展总是会面临着瓶颈，厂商只有在读取架构上做文章，通过多位预取、并行传输来提升内存的数据传输率。
2G*2 每条200+ 两条400+
