光学参数

产品性能	分辨率：5nm（SE，30kV），8nm（BSE，30kV） 电压：1-30kv（1/5/10/15/20/30） 探测器：SE（Secondary Electron）二次电子，BSE（Back scattered Electron）背散射电子 电子枪：Tungsten Filament（cartridge）钨灯丝 光阑：3050100200um (Variable type) 4级可变光阑调节 扫描图片像素：320×240，640×480，1280×960，2560×1920，5120×3840 真空模式：High Vacuum高真空系统 (Low Vacuum低真空系统可选) 真空时间：180sec(抽真空)，70sec(卸真空) 能谱系统：EDAX(element)

主要参数

设备类型	电子显微镜
放大倍率	20-100000x
产品尺寸	样品台尺寸：X：40mm，Y：40mm，R：360˚，Z：0-35m，T：0-45˚/5-axis* X，Y，R，Z-4侧自动/T-1侧手动 样品尺寸：80*35mm