光学参数

产品性能	分辨率：5nm（30kv，SE Image）20nm(30KV，BSE Image) 电压：1-30kv（1/5/10/15/20/30） 探测器：SE（Secondary Electron）二次电子，BSE（Back scattered Electron）背散射电子 电子枪：Tungsten Filament（cartridge）钨灯丝 光阑：200um（fix） 真空模式：High Vacuum高真空系统 (Low Vacuum低真空系统可选)

主要参数

设备类型	电子显微镜
放大倍率	20-60000x
产品尺寸	样品台尺寸：X：35㎜，Y：35㎜，R：360˚/3-axis 样品尺寸：70*30mm